سامسونگ تولید چیپستهای 10 نانومتری جدیدی را آغاز کرده که مطابق با نسل دوم از فناوری FinFET موسوم به LPP ساخته میشوند. این تکنولوژی نسخه اصلاح شده فناوری 10 نانومتری LPE بوده که قادر است تا 10 درصد عملکرد را بهبود داده و تا 15 درصد مصرف انرژی کمتری داشته باشد.
به گزارش بادیجی ، در نزدیکترین زمان ممکن میتوانیم شاهد حضور این تراشههای جدید در اسمارتفونهایی باشیم که در اوایل سال 2018 عرضه میشوند. البته اسمارتفونهایی که بعد از این زمان نیز تولید میشوند از این تراشهها بهره خواهند برد. تراشههای 10 نانومتری جدید با امکانات موجود در کارخانه ریختهگری S3 سامسونگ در شهر Hwaseong ساخته خواهند شد.
کوالکام وظیفه ساخت تراشه پرچمدار اسنپدراگون 845 را به شرکت تولیدی نیمههادی تایوانی TSMC محول کرده است. این نخستین تجربه TSMC برای تولید تراشههایی با فناوری 10 نانومتری LPP خواهد بود. سامسونگ نیز برای تولید تراشه اگزینوس 9810 از این فناوری استفاده میکند و احتمالا تراشه میانرده اسنپدراگون 670 نیز با همین تکنولوژی ساخته میشود.
سامسونگ در تلاش است تا با ادامه بهبود این فناوری به تولید تراشههای 8 نانومتری LPP بپردازد. ادامه روند بهبود فناوری ساخت منجر به تولید تراشههایی میشود که بدون نیاز به تعمیرات اساسی طراحی میشوند. بهعلاوه، سامسونگ برای تولید تراشههای 7 نانومتری FinFET با تکنولوژی EUV برنامهریزی کرده است.
انتهای پیام/
نظرات کاربران